Microchip VP2106N3-G P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 250 mA 1 W, 3-Pin TO-92, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 15 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 2V, Höhe: 5.33mm
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Microchip VP2106N3-G P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 250 MA 1 W, 3-Pin TO-92
Specifications of Microchip VP2106N3-G P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 250 MA 1 W, 3-Pin TO-92 | |
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