Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 68 A, 9-Pin DirectFET ISOMETRISCH

RS PRO Ringkerntransformator, Primär 115 V ac, 230 V ac / Sekundär 2 x 12V ac, 30VA 2 Ausg.: 50Hz, Betriebsfrequenz max.25A 503g 70 (Dia.) x, Höhe: 32mm, Durchmesser: 70mm, Abmessungen: 70 (Dia.

0010.Schurter ASO 10.3x38 Feinsicherung F / 10A 10 x 38mm 1kV dc Melamin gPV, Betriebsspannung: 1kV dc, MPN: 0090.

: -40°C, Lebensdauer: 26000 h @ +85 °C/450V dc/Ir, Leckstrom: 1,269 mA, Polarisiert: Polar, Brummstrom: 2.29 A @ 100Hz, MPN: ALT23A471DE450.KEMET ALT23, Schraub Aluminium-Elektrolyt Kondensator 470μF ±20% / 450V dc, Ø 40mm x 75mm x 75mm, +85°C, Kapazität: 470µF, Spannung: 450V dc, Montageart: Bolzenmontage, Abmessungen: 40 (Dia.) x 75mm, Betriebstemperatur min.

: 0,36 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPA60R360P7SXKSA1.Infineon 600V CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.

: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPA60R080P7XKSA1.: 0,08 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

5mm-Raster gewinkelt, Anzahl der Reihen: 2, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, MPN: 1053811.

: 0,007 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +125°C, MPN: RN73C2A976RB.

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 68 A, 9-Pin DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 4.9V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: AUIRF7648M2TR.

: -55°C, Betriebstemperatur max.TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 976Ω ±0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.1% / 0.