Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC
About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: 160 mΩ, 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 160 mΩ, 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC | |
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