Infineon HEXFET IRF7314TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 98 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.7V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 1.5mm
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Infineon HEXFET IRF7314TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A 2 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Infineon HEXFET IRF7314TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A 2 W, 8-Pin SOIC | |
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