Infineon OptiMOS 2 BSS316NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 500 MW, 3-Pin SOT-23
About The : +150 °C.Infineon OptiMOS 2 BSS316NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max
Infineon OptiMOS 2 BSS316NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 2 BSS316NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 500 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Infineon OptiMOS 2 BSS316NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 500 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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