Infineon HEXFET AUIRF3805S-7P N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 240 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7, Gehäusegröße: D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 4.55mm
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Infineon HEXFET AUIRF3805S-7P N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 240 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7
Specifications of Infineon HEXFET AUIRF3805S-7P N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 240 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7 | |
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