reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Vishay

Vishay TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

About The , Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max

Vishay TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 0,167 O, 0,251 O., Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5 V, 2.5 V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiS590DN-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual
More Varieties

Rating :- 9.43 /10
Votes :- 50