Vishay TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 0,167 O, 0,251 O., Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5 V, 2.5 V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiS590DN-T1-GE3
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Vishay TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual
Specifications of Vishay TrenchFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual | |
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