Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPW80R360P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,36 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPW80R360P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPW80R360P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin TO-247 | |
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