reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Vishay

Vishay IRFPE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-247AC

About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

Vishay IRFPE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay IRFPE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-247AC

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay IRFPE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-247AC

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay IRFPE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-247AC
More Varieties

Rating :- 9.59 /10
Votes :- 49