Infineon 600V CoolMOS™ P7 IPD60R280P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,28 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon 600V CoolMOS™ P7 IPD60R280P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon 600V CoolMOS™ P7 IPD60R280P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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