onsemi FQB27P06TM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 27 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm
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Onsemi FQB27P06TM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 27 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Onsemi FQB27P06TM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 27 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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