ROHM RZF013P01 RZF013P01TL P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 1,3 A 800 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 1,06 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 2.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM RZF013P01 RZF013P01TL P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 1,3 A 800 MW, 3-Pin SOT-323
Specifications of ROHM RZF013P01 RZF013P01TL P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 1,3 A 800 MW, 3-Pin SOT-323 | |
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