Vishay SIHP22N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 182 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Vishay SIHP22N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Vishay SIHP22N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220AB | |
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