onsemi FQU11P06TU P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 9,4 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 185 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi FQU11P06TU P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 9,4 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of Onsemi FQU11P06TU P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 9,4 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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