Infineon BSC040N10NS5 BSC040N10NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 5,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 5.49mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon BSC040N10NS5 BSC040N10NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon BSC040N10NS5 BSC040N10NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON | |
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