onsemi QFET FQP9N90C N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 8 A 205 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 9.4mm, Länge: 10.1mm
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Onsemi QFET FQP9N90C N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 8 A 205 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Onsemi QFET FQP9N90C N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 8 A 205 W, 3-Pin TO-220AB | |
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