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ROHM R6009JNXC7G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 53 W, 3-Pin TO-220FM

About The .: 580 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

ROHM R6009JNXC7G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 53 W, 3-Pin TO-220FM, Drain-Source-Widerstand max.: 580 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 7V, Gate-Schwellenspannung min.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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ROHM R6009JNXC7G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 53 W, 3-Pin TO-220FM

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Specifications of ROHM R6009JNXC7G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 53 W, 3-Pin TO-220FM

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ROHM R6009JNXC7G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 53 W, 3-Pin TO-220FM
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