Infineon CoolMOS C3 SPW11N80C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 450 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.03mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon CoolMOS C3 SPW11N80C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon CoolMOS C3 SPW11N80C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-247 | |
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