Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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