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STMicroelectronics STripFET II STD60NF06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 4mm.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

STMicroelectronics STripFET II STD60NF06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.4mm

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Specifications of STMicroelectronics STripFET II STD60NF06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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