Toshiba TJ8S06M3L P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +10 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Toshiba TJ8S06M3L P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Toshiba TJ8S06M3L P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 27 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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