onsemi PowerTrench FDS6692A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9 A 1,47 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 19 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.575mm, Länge: 4.9mm
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Onsemi PowerTrench FDS6692A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9 A 1,47 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Onsemi PowerTrench FDS6692A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9 A 1,47 W, 8-Pin SOIC | |
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