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SKF H Lageradapterhülse Für Einfache Welle, Stufenwelle, 60mm, Innen ø 60mm

About The SKF H Lageradapterhülse für Einfache Welle, Stufenwelle, 60mm, Innen ø 60mm, Außendurchmesser: 75mm, Abmessungen: 60 mm x 50mm, MPN: H313

SKF H Lageradapterhülse für Einfache Welle, Stufenwelle, 60mm, Innen ø 60mm, Außendurchmesser: 75mm, Abmessungen: 60 mm x 50mm, MPN: H313

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SKF H Lageradapterhülse Für Einfache Welle, Stufenwelle, 60mm, Innen ø 60mm

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Specifications of SKF H Lageradapterhülse Für Einfache Welle, Stufenwelle, 60mm, Innen ø 60mm

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RS PRO Ringkerntransformator, Primär 2 x 115V ac / Sekundär 2 x 7V, 1.6VA 82g 39.6 x 39.6 x 18.5mm 50Hz

RS PRO Ringkerntransformator, Primär 2 x 115V ac / Sekundär 2 x 7V, 1.6VA 82g 39.6 x 39.6 x 18.5mm 50Hz

RS PRO Ringkerntransformator, Primär 2 x 115V ac / Sekundär 2 x 7V, 1.6VA 82g 39.: +60°C.6 x 39.

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  • Ringkern-Transformatoren
  • RS PRO
    • SMC SY, G1/8 Magnetventil, Elektromagnet-betätigt

    SMC SY, G1/8 Magnetventil, Elektromagnet-betätigt

    SMC SY, G1/8 Magnetventil, Elektromagnet-betätigt, Funktion: 2, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: SY5220-5LOZ-01F-Q.

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  • Pneumatik-Regelventile-Magnet,vorgesteuert
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    • onsemi THT SiC-Schottky Diode, 650V / 23A, 2-Pin TO-247

    onsemi THT SiC-Schottky Diode, 650V / 23A, 2-Pin TO-247

    onsemi THT SiC-Schottky Diode, 650V / 23A, 2-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Diodenkonfiguration: Einfach, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 1kA, MPN: FFSH1665A.

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    • onsemi NVMFS6H818NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN

    onsemi NVMFS6H818NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN

    1mm, Betriebstemperatur max.onsemi NVMFS6H818NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.

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    • onsemi NVMFS6H818NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN

    onsemi NVMFS6H818NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN

    onsemi NVMFS6H818NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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