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Infineon HEXFET IRF7351TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC

About The : +150 °C.: 17,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRF7351TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 17,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Infineon HEXFET IRF7351TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Infineon HEXFET IRF7351TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Infineon HEXFET IRF7351TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC
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