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Nexperia BST82,215 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 MA 830 MW, 3-Pin SOT-23

About The : 1.: 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Nexperia BST82,215 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23, Gehäusegröße: SOT-23 (TO-236AB), Drain-Source-Widerstand max.: 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1mm

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Nexperia BST82,215 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 MA 830 MW, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Nexperia BST82,215 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 MA 830 MW, 3-Pin SOT-23

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