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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

About The 4mm.: 4V, Gate-Schwellenspannung min

STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 16.4mm

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STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
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Halbleiter
Diskrete Halbleiter

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Taiwan Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 137V 95V min., 2-Pin, THT 85.5V max DO-15

Taiwan Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 137V 95V min., 2-Pin, THT 85.5V max DO-15

Taiwan Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 137V 95V min.: +175 °C, MPN: P6KE100CA.56mm, Betriebstemperatur max.4A, Betriebstemperatur min.

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  • Suppressordioden TVS
  • Taiwan Semiconductor
    • Conex-Banninger Absperrhahn 28 mm Quetschanschluss 5 bar max. Messing, 1.1Zoll

    Conex-Banninger Absperrhahn 28 mm Quetschanschluss 5 bar max. Messing, 1.1Zoll

    1Zoll, Gewinde, Fitting Typ: Druckfeder, MPN: HH-1042500--. Messing, 1.Conex-Banninger Absperrhahn 28 mm Quetschanschluss 5 bar max.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Rohrleitungen & Rohrverbinder
  • Industriearmaturen & Absperrventile
  • Absperrschieber
  • Conex-Banninger
    • STMicroelectronics STripFET II STD17NF25 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    STMicroelectronics STripFET II STD17NF25 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    4mm.STMicroelectronics STripFET II STD17NF25 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.

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    • MikroElektronika WSEN-TIDS Thermo 18 Click Entwicklungskit, Temperatursensor für mikroBUS-Socket

    MikroElektronika WSEN-TIDS Thermo 18 Click Entwicklungskit, Temperatursensor für mikroBUS-Socket

    MikroElektronika WSEN-TIDS Thermo 18 Click Entwicklungskit, Temperatursensor für mikroBUS-Socket, Kit-Klassifizierung: Zusatzplatine, MPN: MIKROE-4829.

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    • Eaton T0 Nockenschalter, 2P / 10A, 690V (Volts), 3-phasig, 12-Stufen, 60°-Wurfwinkel

    Eaton T0 Nockenschalter, 2P / 10A, 690V (Volts), 3-phasig, 12-Stufen, 60°-Wurfwinkel

    Eaton T0 Nockenschalter, 2P / 10A, 690V (Volts), 3-phasig, 12-Stufen, 60°-Wurfwinkel, Typ: Nockenschalter: Ein-Aus-Nockenschalter, Betätigertyp: Kipphebel, MPN: 55894 TM-6-8253/E.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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  • Drehschalter und Zubehör
  • Nockenschalter
  • Eaton
    • RS PRO Gummi Vibrationsdämpfer, Innengewinde-Puffer M10, Ø 50mm x 30mm, 45 Shore A

    RS PRO Gummi Vibrationsdämpfer, Innengewinde-Puffer M10, Ø 50mm x 30mm, 45 Shore A

    15kg, Typ: Innen-/Innengewinde.29kg, Metallteil: Stahl zinkplattiert, Scherbelastung: 29.

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  • Vibrationsdämpfungs- und Ausgleichkomponenten
  • Schwingungsdämpfer
  • RS PRO
    • RS PRO C-Stahl Pinzettensatz 3-teilig

    RS PRO C-Stahl Pinzettensatz 3-teilig

    RS PRO C-Stahl Pinzettensatz 3-teilig.

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  • RS PRO
    • STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

    STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

    4mm.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.

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    • RS PRO C-Stahl Pinzettensatz 3-teilig

    RS PRO C-Stahl Pinzettensatz 3-teilig

    RS PRO C-Stahl Pinzettensatz 3-teilig.

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    • STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

    STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

    : 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 16.STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.4mm.

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