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Infineon OptiMOS 3 IPP037N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220

About The Infineon OptiMOS 3 IPP037N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon OptiMOS 3 IPP037N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 6,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V

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Infineon OptiMOS 3 IPP037N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPP037N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220

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