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Onsemi FQD7P20TM P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5,7 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 690 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

onsemi FQD7P20TM P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5,7 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 690 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Onsemi FQD7P20TM P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5,7 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Onsemi FQD7P20TM P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5,7 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Onsemi FQD7P20TM P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5,7 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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