Infineon IPD IPD90P03P404ATMA2 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0045 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.0V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon IPD IPD90P03P404ATMA2 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon IPD IPD90P03P404ATMA2 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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