onsemi SuperFET II FCU900N60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4,5 A 52 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 900 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +30 V, Länge: 6.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi SuperFET II FCU900N60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4,5 A 52 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of Onsemi SuperFET II FCU900N60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4,5 A 52 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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