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Vishay Siliconix TrenchFET SQS966ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay Siliconix TrenchFET SQS966ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Vishay Siliconix TrenchFET SQS966ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SQS966ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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