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Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The 2V, Höhe: 1.3V, Gate-Source Spannung max

Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.5mm

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Specifications of Infineon HEXFET IRF9335TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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