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STMicroelectronics SCT SCT10N120 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247

About The 5V, Transistor-Werkstoff: SiC.

STMicroelectronics SCT SCT10N120 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,58 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: SiC

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STMicroelectronics SCT SCT10N120 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247

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Specifications of STMicroelectronics SCT SCT10N120 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247

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STMicroelectronics SCT SCT10N120 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247
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