reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
onsemi

Onsemi QFET FQA140N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 140 A 375 W, 3-Pin TO-3PN

About The : 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

onsemi QFET FQA140N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 140 A 375 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 15.8mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi QFET FQA140N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 140 A 375 W, 3-Pin TO-3PN

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi QFET FQA140N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 140 A 375 W, 3-Pin TO-3PN

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi QFET FQA140N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 140 A 375 W, 3-Pin TO-3PN
More Varieties

Rating :- 9.51 /10
Votes :- 51