Infineon IPB65R IPB65R045C7ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 45 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPB65R IPB65R045C7ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon IPB65R IPB65R045C7ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |