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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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ISSI 1MBit LowPower SRAM 64k, 16bit / Wort 16bit, 2,4 V Bis 3,6 V, TSOP 44-Pin

About The 29 x 1.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18

ISSI 1MBit LowPower SRAM 64k, 16bit / Wort 16bit, 2,4 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin, Organisation: 64 k x 16 Bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.54 x 10.29 x 1.05mm, Länge: 18.54mm, MPN: IS61WV6416DBLL-10TLI

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Specifications of ISSI 1MBit LowPower SRAM 64k, 16bit / Wort 16bit, 2,4 V Bis 3,6 V, TSOP 44-Pin

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Alps Alpine Tafelmontage Wippschalter, 1-poliger Ein/Ausschalter Rastend, 10 A 12.9mm x 19.4mm, IP 00

Alps Alpine Tafelmontage Wippschalter, 1-poliger Ein/Ausschalter Rastend, 10 A 12.9mm x 19.4mm, IP 00

4mm, IP 00, Kontaktanordnung: SPST, Beleuchtet: Nein, Betätigerfarbe: Schwarz, Anschlussart: Drahtanschluss, Beschriftung: I, O, AC-Nennspannung: 250V, Betätigungselementform: Rechteckig, Tafelausschnitt Größe: 19.9mm, Kontaktwiderstand: 100mΩ, MPN: SDDJE10700.4 x 12.Alps Alpine Tafelmontage Wippschalter, 1-poliger Ein/Ausschalter Rastend, 10 A 12.

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    • Infineon OptiMOS IPB80N06S2H5ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon OptiMOS IPB80N06S2H5ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon OptiMOS IPB80N06S2H5ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263).

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    Infineon OptiMOS-T IPB50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    4V, Transistor-Werkstoff: Si.: 2.: 0,0154 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon OptiMOS-T IPB50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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    • Alpha Wire Einzeladerleitung 1,32 mm², 16 AWG 300m Rot PFA isoliert Ø 0.13mm 19/0,30 mm Litzen UL11905

    Alpha Wire Einzeladerleitung 1,32 mm², 16 AWG 300m Rot PFA isoliert Ø 0.13mm 19/0,30 mm Litzen UL11905

    Alpha Wire Einzeladerleitung 1,32 mm², 16 AWG 300m Rot PFA isoliert Ø 0.13mm 19/0,30 mm Litzen UL11905, Betriebsspannung: 600 V, Serie: 2616, Schaltdraht-Typ: Für hohe Temperaturen, MPN: 2616 RD001.

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    • Infineon OptiMOS-T2 IPB45N06S4L08ATMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon OptiMOS-T2 IPB45N06S4L08ATMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon OptiMOS-T2 IPB45N06S4L08ATMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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    ISSI 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort 18bit, 2,4 V bis 3,6 V, TFBGA 48-Pin

    1 x 6.9mm, Länge: 8.: 10ns, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 8.

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    Infineon OptiMOS 5 IPB024N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7

    8V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon OptiMOS 5 IPB024N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.: 3.: 0,0024 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    54mm, MPN: IS61WV6416DBLL-10TLI.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.

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    Infineon OptiMOS 5 IPB024N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7

    : 0,0024 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Si.

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