Vishay SQ Rugged SQM50P03-07_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.826mm, Länge: 10.41mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SQ Rugged SQM50P03-07_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay SQ Rugged SQM50P03-07_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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