Vishay Si1416EDH-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,9 A 2,8 W, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 77 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay Si1416EDH-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,9 A 2,8 W, 6-Pin SOT-363
Specifications of Vishay Si1416EDH-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,9 A 2,8 W, 6-Pin SOT-363 | |
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