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Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm X 110mm X 110mm

About The Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm x 110mm x 110mm, Abmessungen (L x B x H): 110 x 110 x 62mm, Anzahl der Anschlüsse: 5, Kabeleinführung: M20 Ausbruch, MPN: WPJB-02

Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm x 110mm x 110mm, Abmessungen (L x B x H): 110 x 110 x 62mm, Anzahl der Anschlüsse: 5, Kabeleinführung: M20 Ausbruch, MPN: WPJB-02

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Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm X 110mm X 110mm

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Specifications of Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm X 110mm X 110mm

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Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm X 110mm X 110mm
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Molex Leiterplatten-Stiftleiste gerade, 3-polig / 1-reihig, Raster 1.5mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss, 2.5A,

Molex Leiterplatten-Stiftleiste gerade, 3-polig / 1-reihig, Raster 1.5mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss, 2.5A,

5mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss, 2.5A,, Gehäuseausrichtung: Vertikal, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Oberflächenmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, MPN: 87437-0373.Molex Leiterplatten-Stiftleiste gerade, 3-polig / 1-reihig, Raster 1.

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    • onsemi PowerTrench FDS4559 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,5 A, 4,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

    onsemi PowerTrench FDS4559 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,5 A, 4,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

    : +175 °C.: 55 mΩ, 105 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.onsemi PowerTrench FDS4559 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,5 A, 4,5 A 2 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.

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    • Wurth Elektronik Würth WE-TI Drosselspule, Ferrit-Kern, 10 mH, ±10%, 160mA, Radial / R-DC 25Ω, Ø 8.5mm x 10mm

    Wurth Elektronik Würth WE-TI Drosselspule, Ferrit-Kern, 10 mH, ±10%, 160mA, Radial / R-DC 25Ω, Ø 8.5mm x 10mm

    : +85°C, Betriebstemperatur min.: -25°C, Anschlussklemmentyp: Durchsteckmontage, MPN: 744742103.

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  • Induktivitäten bedrahtet
  • Wurth Elektronik
    • Wurth Elektronik Würth WE-TI Induktivität radial, Ferrit-Kern, 220 μH, ±10%, 660mA, Radial / R-DC 1.5Ω, Ø 8.5mm x 6mm
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • Induktivitäten bedrahtet
  • Wurth Elektronik
    • EMERSON – ASCO ASCO 210, Rp1/2 Buchse 2/2-Wege Steuer- Magnetventil 230 VAC, Öffner

    EMERSON – ASCO ASCO 210, Rp1/2 Buchse 2/2-Wege Steuer- Magnetventil 230 VAC, Öffner

    EMERSON – ASCO ASCO 210, Rp1/2 Buchse 2/2-Wege Steuer- Magnetventil 230 VAC, Öffner, Verbindungsgröße: 1/2Zoll, Einsatzbereiche: Luft, Edelgas, Öl, Wasser, Ventilöffnung: 16mm, Gehäusematerial: Messing, Maximaler Arbeitsdruck: 9 bar, Betriebstemperaturbereich: -20 → +75 °C, Maximale Betriebstemperatur: +75°C, MPN: E210C094SCA8.

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  • EMERSON – ASCO
    • Metcal / GT4-CH0040P Lötspitze 4,0 x 6 mm flach GT4 für Lötkolben

    Metcal / GT4-CH0040P Lötspitze 4,0 x 6 mm flach GT4 für Lötkolben

    Metcal / GT4-CH0040P Lötspitze 4,0 x 6 mm flach GT4 für Lötkolben, Spitzen-Form: Meißel.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Elektrowerkzeuge Löten & Schweißen
  • Löten
  • Lötspitzen
  • Metcal
    • Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm x 110mm x 110mm

    Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm x 110mm x 110mm

    Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm x 110mm x 110mm, Abmessungen (L x B x H): 110 x 110 x 62mm, Anzahl der Anschlüsse: 5, Kabeleinführung: M20 Ausbruch, MPN: WPJB-02.

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    • Infineon CoolMOS C6 IPW60R070C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 53 A 391 W, 3-Pin TO-247
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    • Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm x 110mm x 110mm

    Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm x 110mm x 110mm

    Ragni Installationsdose IP66, BxTxH 62mm x 110mm x 110mm, Abmessungen (L x B x H): 110 x 110 x 62mm, Anzahl der Anschlüsse: 5, Kabeleinführung: M20 Ausbruch, MPN: WPJB-02.

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    • Infineon CoolMOS C6 IPW60R070C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 53 A 391 W, 3-Pin TO-247

    Infineon CoolMOS C6 IPW60R070C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 53 A 391 W, 3-Pin TO-247

    5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon CoolMOS C6 IPW60R070C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 53 A 391 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Höhe: 21.

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