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Elektrische Mess- und Prüftechnik Zubehör
Chauvin Arnoux

Chauvin Arnoux

About The : -30°C, MPN: P01102125Z.Chauvin Arnoux, Betriebstemperatur max

Chauvin Arnoux, Betriebstemperatur max.: +60°C, Betriebstemperatur min.: -30°C, MPN: P01102125Z

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Chauvin Arnoux

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Specifications of Chauvin Arnoux

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Elektrische Mess- und Prüftechnik

Rating :- 8.03 /10
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RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 36Ω ±1% / 0.063W ±200ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 36Ω ±1% / 0.063W ±200ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

: -55°C, Betriebstemperatur max.RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 36Ω ±1% / 0.063W ±200ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse, Serie: CR, Betriebstemperatur min.: +155°C.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • RS PRO
    • RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 80.6Ω ±1% / 0.063W ±200ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • RS PRO
    • RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 1.5MΩ ±1% / 1/4W ±250ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 1.5MΩ ±1% / 1/4W ±250ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.5MΩ ±1% / 1/4W ±250ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Serie: CR, Betriebstemperatur min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
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  • RS PRO
    • DiodesZetex DMN3110S-7 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,8 A 1,8 W, 3-Pin SOT-23

    DiodesZetex DMN3110S-7 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,8 A 1,8 W, 3-Pin SOT-23

    3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • DiodesZetex
    • DiodesZetex APT13003SZTR-G1 THT, NPN Transistor 700 V / 1,5 A 4 MHz (min.), TO-92 3-Pin

    DiodesZetex APT13003SZTR-G1 THT, NPN Transistor 700 V / 1,5 A 4 MHz (min.), TO-92 3-Pin

    7 x 3.: 9 V, Abmessungen: 4.DiodesZetex APT13003SZTR-G1 THT, NPN Transistor 700 V / 1,5 A 4 MHz (min.), TO-92 3-Pin, Verlustleistung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Bipolare Transistoren
  • DiodesZetex
    • RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 10Ω ±5% / 0.75W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 10Ω ±5% / 0.75W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C.RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 10Ω ±5% / 0.

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  • RS PRO
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    Chauvin Arnoux

    Chauvin Arnoux, Betriebstemperatur max.: +60°C, Betriebstemperatur min.: -30°C, MPN: P01102125Z.

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  • Chauvin Arnoux
    • Panasonic Dickschicht SMD Festwiderstand ±1% / 0.66W, 1206 (3216M) Gehäuse

    Panasonic Dickschicht SMD Festwiderstand ±1% / 0.66W, 1206 (3216M) Gehäuse

    66W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: ERJUP8F1801V.Panasonic Dickschicht SMD Festwiderstand ±1% / 0.

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    : -30°C, MPN: P01102125Z.Chauvin Arnoux, Betriebstemperatur max.: +60°C, Betriebstemperatur min.

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    • Panasonic Dickschicht SMD Festwiderstand ±1% / 0.66W, 1206 (3216M) Gehäuse

    Panasonic Dickschicht SMD Festwiderstand ±1% / 0.66W, 1206 (3216M) Gehäuse

    Panasonic Dickschicht SMD Festwiderstand ±1% / 0.

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