onsemi PowerTrench FDMA410NZ N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 9,5 A 900 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Gehäusegröße: MLP, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0.75mm, Länge: 2mm
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Onsemi PowerTrench FDMA410NZ N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 9,5 A 900 MW, 6-Pin MicroFET 2 X 2
Specifications of Onsemi PowerTrench FDMA410NZ N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 9,5 A 900 MW, 6-Pin MicroFET 2 X 2 | |
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