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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Toshiba

Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220

About The 1mm, Länge: 10.: 12,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 12,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 15.1mm, Länge: 10.16mm

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Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220

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iiyama Monitor Prolite XUB2492HSU-W5, 24Zoll, Auflösung max.1920 x 1080 LED, 178/178° Betrachtungswinkel

iiyama Monitor Prolite XUB2492HSU-W5, 24Zoll, Auflösung max.1920 x 1080 LED, 178/178° Betrachtungswinkel

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    • Toshiba THT Optokoppler AC-In / IR-LED-Out, 8-Pin DIP, Isolation 3750 V eff.

    Toshiba THT Optokoppler AC-In / IR-LED-Out, 8-Pin DIP, Isolation 3750 V eff.

    : 10 mA, Logik Ausgang: Ja, Fallzeit typ., Montage Typ: Durchsteckmontage, Durchlassspannung max.

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    • STMicroelectronics Spannungsregler 250mA, 1 Linearregler DFN, 4-Pin, Fest

    STMicroelectronics Spannungsregler 250mA, 1 Linearregler DFN, 4-Pin, Fest

    05 x 1.: +125 °C, Genauigkeit: ±4%, Abmessungen: 1.

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    • Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220

    Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220

    : 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.16mm.: 12,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.1mm, Länge: 10.

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    • Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

    Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

    , 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Länge: 15.5 x 4.

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    : 12,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    , 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Länge: 15.

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