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Infineon HEXFET IRFH8311TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A, 4-Pin PQFN 5 X 6

About The 35V, Transistor-Werkstoff: Silicon.: 2

Infineon HEXFET IRFH8311TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A, 4-Pin PQFN 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0021 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Transistor-Werkstoff: Silicon

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Infineon HEXFET IRFH8311TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A, 4-Pin PQFN 5 X 6

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Specifications of Infineon HEXFET IRFH8311TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A, 4-Pin PQFN 5 X 6

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Infineon HEXFET IRFH8311TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A, 4-Pin PQFN 5 X 6
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