Infineon HEXFET IRFH8311TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A, 4-Pin PQFN 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0021 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon HEXFET IRFH8311TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A, 4-Pin PQFN 5 X 6
Specifications of Infineon HEXFET IRFH8311TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A, 4-Pin PQFN 5 X 6 | |
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