Infineon HEXFET IRFR5505TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Name: Infineon HEXFET IRFR5505TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | Infineon
Brand: Infineon
SKU: CAWY-900956
Price: 17.04 EUR
Availability: InStock

About The 73mm, Betriebstemperatur max.: -20 V, +20 V, Länge: 6

Infineon HEXFET IRFR5505TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Infineon HEXFET IRFR5505TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Last Updated May 13th, 2024 01:13 am

Infineon HEXFET IRFR5505TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Vishay E Series SiHG64N65E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 64 A 520 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.2V, Betriebstemperatur max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.

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RS PRO CY Steuerkabel, 4-adrig x 0,5 mm² Grau / 9 A, 50m, 20 AWG, Kupfergeflecht verzinnt, Geschirmt / Ungeschirmt: Geschirmt, Certification RPC: Eca, Außendurchmesser: 6.5mm, Mantelmaterial: PVC, Leiterwiderstand: 39 Ω/km, Aderlitzen: 16/0,20 mm, Erdungsleiter: Ja.

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