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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Toshiba TK3P50D,RQ(S N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 3 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 6mm, Betriebstemperatur max.: 2

Toshiba TK3P50D,RQ(S N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 3 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Toshiba TK3P50D,RQ(S N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 3 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Toshiba TK3P50D,RQ(S N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 3 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Toshiba TK3P50D,RQ(S N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 3 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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