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IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 KW, 3-Pin TO-264

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 85 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin TO-264, Drain-Source-Widerstand max.: 85 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 19.96mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 KW, 3-Pin TO-264

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Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 KW, 3-Pin TO-264

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    IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin TO-264

    : -30 V, +30 V, Länge: 19.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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