Infineon OptiMOS 3 IPA086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 45 A 37,5 W, 3-Pin TO-220 FP
: 15,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon OptiMOS 3 IPA086N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 45 A 37,5 W, 3-Pin TO-220 FP, Gehäusegröße: TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.