Vishay IRLD110PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.37mm, Länge: 5mm.: 540 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.Vishay IRLD110PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.