Toshiba TK TK62J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-3PN
: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Toshiba TK TK62J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-3PN, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 3.