IXYS HiperFET, Polar3 IXFK98N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 98 A 1,3 kW, 3-Pin TO-264
: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.IXYS HiperFET, Polar3 IXFK98N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 98 A 1,3 kW, 3-Pin TO-264, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: -30 V, +30 V, Höhe: 26.